G20峰會（20國集團領導人會議）將至，中美貿易戰又成焦點話題，但相比美國25%關稅可能上膛，中共現在更擔心的是「十三五」規劃中的半導體產業面臨重創。

中美貿易戰延燒至11月，可以說發生了一件中共非常不樂見的事，那就是福建晉華遭到出口管制禁令，這不但是美國遏阻中共的侵權行為，同時也是新一波制裁中國半導體行業的開始。

此前有調研機構統計指出，中國消耗了全球55%的半導體晶片，而中國目前的晶片自給率不足20%，也就是高達80%晶片仰賴進口。

因此在中共「十三五」規劃中，納入了自主研發存儲晶片。目前在三地被大力扶持的存儲大廠及其分工是：武漢長江存儲發展NAND Flash，合肥長鑫專注移動式記憶體，以及福建晉華致力於DRAM專案──這也是這些項目中更為困難且複雜敏感的。

現在透過美國制裁與起訴，外界知道福建晉華DRAM廠不是花時間、下真功夫去研發，而是輾轉透過台灣聯電二手竊取美光專利。在美國加州聖荷西聯邦法院11月1日發佈的起訴書中，晉華跟聯電被指控3項罪名，分別是共謀經濟間諜罪、接收被盜商業機密罪，以及共謀竊取商業機密罪。

眾所周知，目前全球有能力生產 DRAM 的供應商只剩下三星電子、SK海力士（SK Hynix）、美光三家。因此可想而知，美光等三家大廠是如何將 DRAM技術列入保護的最高等級的。

從美國司法部長塞辛斯11月1日親自針對晉華案召開記者會的情況，也可以看出福建晉華案的事態嚴重。

不僅如此，美國司法部還同時提起了民事和刑事訴訟。據美國司法部表示，福建晉華跟聯電竊取商業機密可能面臨超過200億美元的罰款。公開資料顯示，福建晉華興建廠房投資57億美元，而聯電11月2日市值約48.41億美元，也就是美國司法部祭出的罰款超過晉華投資額和聯電市值的總和，對這兩家公司的殺傷力可說非常之大。

再加上美國禁售令在10月30日生效當天，美國三大半導體設備供應商全面撤出福建晉華的12吋廠，與此同時，福建晉華的技術開發方全部叫停DRAM計劃，即福建晉華缺少了美國的設備、材料，生產馬上面臨巨幅萎縮。

半導體研究機構VLSI Research半導體產業專家普哈卡（Risto Puhakka）曾指出：「沒有美國設備商，你無法建造一座工廠（半導體製造廠）」。而美國業界之所以會有今天這樣的實力，不是橫空出世，而是過去花了20 幾年時間，投入了無數人力心血和資金的努力研發。

中共「十三五」規劃發展存儲產業，只有野心，沒有科研精神，不是真正下功夫迎頭趕上，是藉由僅成立2年的三家公司，就想儘快在全球存儲市場取得一席之地，甚至改寫全球存儲產業版圖。雖然中共佔領市場的野心受到美國制裁而重創，但付出代價的卻是中國DRAM產業的停滯不前。

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